半导体衬底的研究始于19世纪，至今已发展至第四代半导体材料。以下是一些关于半导体衬底材料的分类及基础参数，仅做参考：

一、硅片

1、进口硅片

直径：2-8英寸；掺杂：N/P；晶向：＜100＞/＜110＞/＜100＞；电阻率：0.001-2000Ω.cm

2、国产硅片

直径：2-8英寸；掺杂：N/P；晶向：＜100＞/＜110＞/＜100＞；电阻率：0.001-2000Ω.cm

3、测试片

直径：2-8英寸。该类片可作为工艺陪片使用，或作为对电学性能没有要求的正片使用。

4、Dummy片

直径：2-12英寸。一般作为没有洁净度要求的单项工艺测试。

5、高阻硅片

FZ硅片，MCZ硅片，直径2-8英寸；掺杂：N/P;电阻率：10Ω.cm-20KΩ.cm及以上。

6、氧化硅片

直径：2-8英寸；氧化层厚度：100框-25um。

7、SOI硅片

直径：4-8英寸。

8、其他特殊硅片

超厚硅片、超薄硅片、金属化硅片、氮化硅硅片、超平硅片、特殊晶向硅片、穿孔硅片、绒化硅片等。

二、玻璃、石英片

1、BF33玻璃片

直径：4-8英寸；厚度200-500um。

2、石英片

直径：2-6英寸，厚度0.5-2mm。分为单晶石英片和熔融石英片。

三、其他衬底材料，主要包含匀胶铬版、蓝宝石片等。

1、匀胶铬版

光掩模基版，在平整的、高光洁度的玻璃基版上通过直流磁控溅射沉积上氮化铬-氮氧化铬薄膜而形成铬膜基版，再涂一层光刻胶制成匀胶铬版。

2、蓝宝石片

直径：2-4英寸；晶向：C,A,M,R等，厚度200um-1mm