2026.04.28
侧壁垂直度不够？试试深硅刻蚀（DRIE）
在微纳制造、半导体加工及MEMS器件制备等领域，侧壁垂直度是决定产品性能与可靠性的核心指标之一。无论是微通道、硅通孔还是高深宽比微结构，若侧壁出现倾斜、 taper 或不规则起伏，不仅会影响器件的结构精度，还可能导致信号传输失真、机械性能下降，甚至直接造成产品报废。传统刻蚀工艺往往难以兼顾刻蚀深度与侧壁垂直度，而深硅刻蚀（DRIE，Deep Reactive Ion Etching）技术的出现，为
