2026.10.09
MEMS加工中晶圆减薄技术的工艺与应用探析
MEMS器件朝着微型化、高精度、高集成度方向快速迭代，传统标准厚度晶圆已无法适配超薄结构、背腔刻蚀、通孔互联等核心制造需求。晶圆减薄作为MEMS后端加工的关键核心工序，通过精准去除晶圆背面衬底材料，精准调控晶圆厚度、平整度与表面质量，是保障压力传感器、加速度计、微型麦克风等MEMS器件性能稳定、结构可靠的基础工艺，在微纳制造领域有着不可替代的作用。常规半导体晶圆初始厚度普遍在数百微米级别，而多数M
