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微纳加工工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀

在微纳加工过程中，刻蚀是光刻之后的关键步骤，是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的刻蚀材料，进而形成光刻定义的电路图形。换而言之就是把想要的留下，不想要的清理掉。微纳加工技术中的刻蚀工艺目前主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种蚀刻方式。湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法。适应性强，表面均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。但由
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刻蚀加工工艺基础篇

刻蚀加工工艺基础篇之刻蚀速率、均匀性、选择性及轮廓相关知识简析如下：什么是刻蚀速率刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。通过测量刻蚀前后的薄膜厚度，将差值除以刻蚀时间就能计算出刻蚀速率：刻蚀速率=(刻蚀前厚度-刻蚀后厚度)/刻蚀时间对于图形化刻蚀，刻蚀速率可以通过扫描电子显微镜(SEM)直接测量出被移除的薄膜厚度。什么是刻蚀的均匀性在刻蚀加
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掩膜版/光刻版主要分类有哪些

掩膜版，又称光刻掩膜版，是一种必不可少的半导体关键材料。作为光刻过程中的重要部件，其性能的好坏对光刻有着重要影响。在光刻过程中，掩膜版是设计图形的载体。通过光刻，将掩膜版上的设计图形转移到光刻胶上，再经过刻蚀，将图形刻到衬底上，从而实现图形到硅片的转移。那么，掩膜版/光刻版主要分类有哪些？掩膜版按用途分类可分为4种，分别为铬版、干版、液体凸版和菲林。其中，铬版精度最高，耐用性更好，广泛应用于平板显
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光刻掩膜版制造流程及作用

掩膜版也叫光刻版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。光刻掩膜版的作用主要体现为利用已经设计好的图案，通过透光与非透光方式进行图像（电路图形）复制，从而实现批量生产。掩膜版制造过程较为复杂，主要是基于原始设计图形，加入光学临近效应补偿，通过计算机辅助系统处理，使用激光或电子束曝光的手法将经过修正后的设计图形移植到透光性能良好的石英基板上，最后还要经过后续蚀刻和检验修补工艺。总的来看，光刻
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