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半导体材料：现代电子工业的基石与技术演进

半导体材料是导电性介于导体（如金属）和绝缘体（如陶瓷）之间的功能性材料，其电学特性可通过掺杂、电场或光照调控，成为集成电路、光电器件和功率器件的核心基础。以下从材料体系、特性、应用及前沿发展展开系统介绍：1. 半导体材料分类(1) 按成分与结构元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）等，硅占全球半导体市场95%以上。化合物半导体：III-V族（GaAs、GaN、InP）：高频、光电特性优，用于5G、激光
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键合技术原理和应用场景

键合（Bonding）是半导体制造和封装中的关键工艺，用于将不同材料或芯片永久或临时连接，以实现电学互连、机械固定或热管理。根据键合原理和应用场景，主要分为以下几类：一、键合技术分类及原理1. 阳极键合（Anodic Bonding）原理：在高温（300-450°C）和高压电场（200-1000V）下，硅与玻璃（如Pyrex）界面发生离子迁移（Na⁺向阴极移动），形成Si-O-Si化学键。
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光刻工艺：半导体制造的精密画笔

在万物互联的智能时代，压力传感器芯片作为感知物理世界的重要器件，正以前所未有的深度和广度渗透到各个领域。这片仅有几毫米见方的芯片，集成了MEMS技术和先进信号处理电路，能够精确感知压力变化，为智能设备提供关键的环境数据。从工业自动化到消费电子，从医疗健康到航空航天，压力传感器芯片的应用正在重塑产业格局，推动智能化进程。一、压力传感器芯片的技术突破压力传感器芯片的核心是MEMS压力传感单元。通过先进
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光刻胶的去除方法及工艺

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。在光刻工艺过程中，光刻胶被用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。在完成刻蚀或离子注入后，也要将半导体衬底上的光刻胶去除。那么，光刻胶的去除方法有哪些？常用的去除光刻胶的方法有干法等离子体刻蚀和湿法清洗。在干法等离子体刻蚀工艺中，产
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微纳加工6大主要加工工艺

在以硅为基础的微纳加工工艺中，主要的加工工艺有腐蚀、键合、光刻、氧化、扩散、溅射等。接下来就这6大微纳加工工艺做具体的介绍。1、腐蚀腐蚀是硅微机械加工的最主要的技术之一，各种硅微机械几乎都要用腐蚀成型。腐蚀法分湿法腐蚀和干法腐蚀两大类。湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶
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半导体材料：衬底分类及基础参数

半导体衬底的研究始于19世纪，至今已发展至第四代半导体材料。以下是一些关于半导体衬底材料的分类及基础参数，仅做参考：一、硅片1、进口硅片直径：2-8英寸；掺杂：N/P；晶向：＜100＞/＜110＞/＜100＞；电阻率：0.001-2000Ω.cm2、国产硅片直径：2-8英寸；掺杂：N/P；晶向：＜100＞/＜110＞/＜100＞；电阻率：0.001-2000Ω.cm3、测试片直径：2-8英寸。该类
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半导体硅片与光伏硅片的区别

半导体硅片，由于半导体用硅片是圆形，所以半导体硅片也叫“硅晶圆”或者“晶圆”。晶圆是芯片制造的“基底”，所有的芯片都是在这个“基底”上制造。光伏硅片，是将硅棒通过切片、抛磨、清洗等工艺形成的高纯片状硅，是重要的半导体材料，在其中掺入微量的第IIIA族元素（硼），可形成P型硅半导体；掺入微量的第VA族元素（磷），可形成N型硅半导体；将N、P型半导体结合在一起，可做成晶硅光伏电池片，将太阳的辐射能转变
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