最新 - 无锡中慧芯

深硅刻蚀技术：芯片制造中的"微米级雕刻艺术"

深硅刻蚀（Deep Silicon Etching, DSE）是半导体制造中的关键技术，广泛应用于MEMS、3D NAND闪存和先进封装等领域。本文将深入探讨深硅刻蚀的原理、工艺优化及行业应用，并分析未来技术发展趋势。一、深硅刻蚀技术概述深硅刻蚀是一种能够在硅衬底上实现高深宽比（>10:1）微纳结构加工的技术。与传统湿法刻蚀相比，它具有以下优势：精度高：可实现亚微米级结构控制深宽比大：典型值
View more
半导体单晶硅片：微纳加工时代的核心基石

在当今半导体材料与微纳加工技术飞速发展的时代，半导体单晶硅片作为核心基础材料，正扮演着愈发关键的角色。从早期晶体管的诞生开启半导体材料微观加工探索，到如今先进微纳加工技术可在很小的尺度构建复杂结构与器件，半导体单晶硅片贯穿其中，成为支撑现代电子科技大厦的基石。
View more
微纳加工中的刻蚀工艺：从湿法到干法的技术与应用

微纳加工中的刻蚀工艺是制造微米和纳米尺度结构的关键技术之一，主要用于选择性去除材料以形成所需的图案或结构。刻蚀工艺可分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类，各有特点和应用场景。以下是详细解析：1. 湿法刻蚀（Wet Etching）原理：利用化学溶液与待刻蚀材料发生反应，生成可溶性产物，从而去除材料。特点：各向同性刻蚀：通常横向和纵向刻蚀速率相近，导致钻蚀现象
View more
镀膜技术在半导体制造中的关键作用与前沿应用

在现代半导体工业中，镀膜技术已成为不可或缺的核心工艺环节。随着半导体器件尺寸的不断缩小和性能要求的持续提高，精密镀膜工艺对半导体材料的性能优化起到了决定性作用。特别是在MEMS微纳加工领域，镀膜技术不仅关系到器件的功能性实现，更直接影响着产品的可靠性和良品率。本文将系统探讨镀膜技术在半导体制造中的多重作用，分析其对不同半导体材料的影响，并阐述其在MEMS微纳加工中的特殊应用价值。一、镀膜技术概述及
View more
离子注入的作用及其在半导体制造中的应用

离子注入（Ion Implantation）是半导体制造中的关键工艺之一，通过高能离子束轰击半导体材料，精确控制掺杂浓度和分布，从而调节材料的电学特性。以下是离子注入的主要作用及其应用：1. 离子注入的核心作用(1) 可控掺杂将特定杂质（如硼B、磷P、砷As）注入硅衬底，形成P型或N型半导体，构建晶体管源/漏区、阱区等。优势：相比扩散工艺，离子注入能精确控制掺杂浓度和深度（剂量可调至10¹¹~10
View more
MEMS微纳加工中阳极键合、共晶键合和胶键合的区别

在MEMS（微机电系统）制造中，晶圆键合（Wafer Bonding）是关键工艺之一，用于实现微结构的封装或三维集成。常见的键合技术包括阳极键合、共晶键合和胶键合，它们在材料兼容性、工艺条件和应用场景上各有特点。本文将从原理、工艺参数和适用场景三方面对比这三种技术。阳极键合（Anodic Bonding）（1）原理在高温（300~450°C）和高压（200~1000V）下，将**硅片与玻璃（如Py
View more
半导体材料：现代电子工业的基石与技术演进

半导体材料是导电性介于导体（如金属）和绝缘体（如陶瓷）之间的功能性材料，其电学特性可通过掺杂、电场或光照调控，成为集成电路、光电器件和功率器件的核心基础。以下从材料体系、特性、应用及前沿发展展开系统介绍：1. 半导体材料分类(1) 按成分与结构元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）等，硅占全球半导体市场95%以上。化合物半导体：III-V族（GaAs、GaN、InP）：高频、光电特性优，用于5G、激光
View more
键合技术原理和应用场景

键合（Bonding）是半导体制造和封装中的关键工艺，用于将不同材料或芯片永久或临时连接，以实现电学互连、机械固定或热管理。根据键合原理和应用场景，主要分为以下几类：一、键合技术分类及原理1. 阳极键合（Anodic Bonding）原理：在高温（300-450°C）和高压电场（200-1000V）下，硅与玻璃（如Pyrex）界面发生离子迁移（Na⁺向阴极移动），形成Si-O-Si化学键。
View more
光刻工艺：半导体制造的精密画笔

在万物互联的智能时代，压力传感器芯片作为感知物理世界的重要器件，正以前所未有的深度和广度渗透到各个领域。这片仅有几毫米见方的芯片，集成了MEMS技术和先进信号处理电路，能够精确感知压力变化，为智能设备提供关键的环境数据。从工业自动化到消费电子，从医疗健康到航空航天，压力传感器芯片的应用正在重塑产业格局，推动智能化进程。一、压力传感器芯片的技术突破压力传感器芯片的核心是MEMS压力传感单元。通过先进
View more