MEMS 微纳加工 - 无锡中慧芯

光刻
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。中慧芯掌握接触式光刻、步进式光刻、电子束光刻等多种光刻技术。
镀膜
镀膜是一种常用的表面处理工艺，一般是在真空环境下，将某种金属或非金属以气相的形式沉积到材料表面，形成一层致密的薄膜，镀膜质量对半导体器件的功能形成至关重要。中慧芯掌握电子束蒸发、磁控溅射、LPCVD、PECVD、原子层沉积等多种镀膜技术。
刻蚀
刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，它是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。中慧芯掌握离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、反应离子刻蚀（RIE）、聚焦离子束刻蚀（FIB）、电感耦合（ICP）等离子刻蚀等
键合
键合将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。中慧芯掌握阳极键合、共晶键合、胶键合等多种键合技术。
掺杂
掺杂是将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状，可用来改变晶片电学性质，实现器件和电路纵向结构。包含扩散、离子注入等方式。高温扩散是利用高温驱动杂质穿过硅晶体结构。离子注入是通过高温离子轰击，使杂质注入硅片，杂质通过与硅片发生原子级的高能碰撞，才能被注入。
切割
切割有时也叫“划片”，是芯片制造工艺流程中一道不可或缺的工序,在晶圆制造中属于后道工序。切割的目的是将整个晶圆上每一个独立的IC/MEMS通过激光或者高速旋转的金刚石刀片切割开来，以便在后续的封装中对单个IC／MEMS进行粘贴、键合等操作。
打孔
“打孔”可以适用于各种材料的微孔，应用于LED芯片制造，触摸屏，LCD，消费类电子，半导体，MEMS，照明，医疗等行业等。中慧芯提供玻璃、金属片、硅片、半导体、芯片打孔等微孔打孔加工服务。
减薄
通常在晶片封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺过程称之为晶片减薄。在后道制程阶段，晶圆（正面已布好电路的硅片）在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。
抛光
抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使晶圆等工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。