刘经理 15852712931
MEMS 微纳加工
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掺杂
掺杂是将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状，可用来改变晶片电学性质，实现器件和电路纵向结构。包含扩散、离子注入等方式。高温扩散是利用高温驱动杂质穿过硅晶体结构。离子注入是通过高温离子轰击，使杂质注入硅片，杂质通过与硅片发生原子级的高能碰撞，才能被注入。
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产品介绍 ·金属有机物化学气相沉积：GaN，GaAs
·化学气相沉积：SIC
·离子注入：B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si
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