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光刻胶的去除方法及工艺
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。在光刻工艺过程中,光刻胶被用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。在完成刻蚀或离子注入后,也要将半导体衬底上的光刻胶去除。那么,光刻胶的去除方法有哪些?常用的去除光刻胶的方法有干法等离子体刻蚀和湿法清洗。在干法等离子体刻蚀工艺中,产
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微纳加工6大主要加工工艺
在以硅为基础的微纳加工工艺中,主要的加工工艺有腐蚀、键合、光刻、氧化、扩散、溅射等。接下来就这6大微纳加工工艺做具体的介绍。1、腐蚀腐蚀是硅微机械加工的最主要的技术之一,各种硅微机械几乎都要用腐蚀成型。腐蚀法分湿法腐蚀和干法腐蚀两大类。湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶
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半导体材料:衬底分类及基础参数
半导体衬底的研究始于19世纪,至今已发展至第四代半导体材料。以下是一些关于半导体衬底材料的分类及基础参数,仅做参考:一、硅片1、进口硅片直径:2-8英寸;掺杂:N/P;晶向:<100>/<110>/<100>;电阻率:0.001-2000Ω.cm2、国产硅片直径:2-8英寸;掺杂:N/P;晶向:<100>/<110>/<100>;电阻率:0.001-2000Ω.cm3、测试片直径:2-8英寸。该类
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半导体硅片与光伏硅片的区别
半导体硅片,由于半导体用硅片是圆形,所以半导体硅片也叫“硅晶圆”或者“晶圆”。晶圆是芯片制造的“基底”,所有的芯片都是在这个“基底”上制造。光伏硅片,是将硅棒通过切片、抛磨、清洗等工艺形成的高纯片状硅,是重要的半导体材料,在其中掺入微量的第IIIA族元素(硼),可形成P型硅半导体;掺入微量的第VA族元素(磷),可形成N型硅半导体;将N、P型半导体结合在一起,可做成晶硅光伏电池片,将太阳的辐射能转变
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微纳加工工艺:干法刻蚀和湿法刻蚀
在微纳加工过程中,刻蚀是光刻之后的关键步骤,是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的刻蚀材料,进而形成光刻定义的电路图形。换而言之就是把想要的留下,不想要的清理掉。微纳加工技术中的刻蚀工艺目前主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种蚀刻方式。湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法。适应性强,表面均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。但由
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刻蚀加工工艺基础篇
刻蚀加工工艺基础篇之刻蚀速率、均匀性、选择性及轮廓相关知识简析如下:什么是刻蚀速率刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量,因此刻蚀速率是一个重要参数。通过测量刻蚀前后的薄膜厚度,将差值除以刻蚀时间就能计算出刻蚀速率:刻蚀速率=(刻蚀前厚度-刻蚀后厚度)/刻蚀时间对于图形化刻蚀,刻蚀速率可以通过扫描电子显微镜(SEM)直接测量出被移除的薄膜厚度。什么是刻蚀的均匀性在刻蚀加
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掩膜版/光刻版主要分类有哪些
掩膜版,又称光刻掩膜版,是一种必不可少的半导体关键材料。作为光刻过程中的重要部件,其性能的好坏对光刻有着重要影响。在光刻过程中,掩膜版是设计图形的载体。通过光刻,将掩膜版上的设计图形转移到光刻胶上,再经过刻蚀,将图形刻到衬底上,从而实现图形到硅片的转移。那么,掩膜版/光刻版主要分类有哪些?掩膜版按用途分类可分为4种,分别为铬版、干版、液体凸版和菲林。其中,铬版精度最高,耐用性更好,广泛应用于平板显
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光刻掩膜版制造流程及作用
掩膜版也叫光刻版,是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。光刻掩膜版的作用主要体现为利用已经设计好的图案,通过透光与非透光方式进行图像(电路图形)复制,从而实现批量生产。掩膜版制造过程较为复杂,主要是基于原始设计图形,加入光学临近效应补偿,通过计算机辅助系统处理,使用激光或电子束曝光的手法将经过修正后的设计图形移植到透光性能良好的石英基板上,最后还要经过后续蚀刻和检验修补工艺。总的来看,光刻
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什么是MEMS器件,MEMS器件加工技术有哪些?
mems器件一般可指利用MEMS技术加工出来的器件。MEMS加工技术是根据产品需要,在各类衬底(硅衬底,玻璃衬底,石英衬底,蓝宝石衬底等)制作微米级微型结构的加工工艺。MEMS加工技术工艺制作的微型结构主要是作为各类传感器和执行器等。目前工业中应用的MEMS微机械加工技术包括:体硅微加工(Bulk Micromachining)、表面微加工(Surface Micromachining)、LIGA
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