MEMS加工工艺一般是纳米、毫米尺度微结构加工工艺的通称。起源于半导体和微电子工艺，以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。那么，在MEMS加工工艺里有哪些常见的术语呢？

MEMS：Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的系统的统称。
光刻：是图形复印与腐蚀作用相结合,在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
干法刻蚀:是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。
湿法腐蚀：用液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学的方式去除硅片表面的材料。
反应离子蚀刻：通过在低真空中放电使等离子体产生离子等粒子，利用该粒子进行蚀刻的技术。
各向同性蚀刻：利用自由基沿深度方向、横向进行的蚀刻。
各向异性蚀刻：利用离子沿深度方向进行的蚀刻。
博世工艺：Si深度蚀刻的主要技术。组合了各向同性蚀刻与各向异性蚀刻的技术。
扇贝形貌：利用博世工艺形成的侧壁的凹凸形状，形似扇贝。
SOI晶圆：Silicon On Insulator的缩写，是指在氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆。已广泛应用于功率元件和MEMS等，在MEMS中可以使用氧化膜层作为硅蚀刻的阻挡层，因此能够形成复杂的三维立体结构。
支撑晶圆：为满足薄晶圆的处理和工艺的需要而用作支撑的晶圆。
晶圆粘合：为满足薄晶圆的处理和工艺的需要而粘合支撑用基板（支撑晶圆）。
晶圆键合：以封装等为目的进行的晶圆之间的键合。
ALD：Atomic Layer Deposition（原子层沉积）的缩写，是通过重复进行材料供应（前体）和排气，利用与基板之间的表面反应，分步逐层沉积原子的成膜方式。